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365在线体育投注,光学与机械工程学院提出的“ A SMO关键图形筛选技术”优于国际同类技术水平

随着半导体技术的发展,光刻技术的转印图案的尺寸限制已经减小了2到3个数量级(从毫米到亚微米),而传统的光学技术则减小了电子束,X射线的应用,微离子束,激光等新技术:所使用的波长已从4000埃扩展到了0.1埃。光刻技术已经成为一种精密的微细加工技术。在集成电路的制造中,使用了光化学反应原理以及化学和物理原理。蚀刻技术用于将电路图案转移到单晶表面或介电层上,以形成有效的图案窗口或功能图案。
关键图案筛选技术是决定光源掩模优化技术(SMO-最重要的计算光刻技术之一)的速度和效果的关键技术。几天前,上海光学机械研究所信息光学与光电子技术实验室命中中国科学院,提出了一种SMO关键图案筛选技术,该技术使用图案的主要频率来表征图案。设计了主要的频率提取方法,覆盖规则,聚类方法和关键图筛选方法,以有效地筛选SMO关键图。与中国科学院微电子研究所的研究团队合作,在国际上进行了仿真验证。执行了流行的商用计算机光刻软件,结果表明该技术优于国际技术。
计算机光刻已成为芯片制造必不可少的关键技术
光刻工艺可以通过光学和化学模型以及数学公式来描述。光在掩模上发生衍射,衍射级由投影透镜收集并会聚在光致抗蚀剂的表面上。此成像过程是光学过程,其中投射到光致抗蚀剂上的图像会激发光化学反应,从而导致烘烤后进行光刻。胶粘剂部分溶于显影液,这是化学过程。计算机光刻技术是利用计算机来模拟和模拟这些光学和化学过程,从理论上寻找提高光刻技术的分辨率和工艺窗口并控制工艺参数优化的方法。
光刻机,也称为掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等,是制造芯片的核心设备。它使用类似于照片打印的技术,通过在硅晶片上曝光来在掩模上打印精细图案。制作集成电路的简单步骤:使用模版去除晶片表面上的保护膜,将晶片浸入腐蚀剂中,然后在失去保护膜腐蚀的零件腐蚀后清洗残留的表面上的污染物,形成电路用纯净水清洗晶圆。曝光机是使用紫外线通过模版去除晶片表面上的保护膜的装置。晶圆可以包含数十个集成电路,根据模板曝光机有两种类型:模板与晶圆的尺寸相同,模板不移动,模板和集成电路的尺寸相同,模板在移动以曝光机的焦点为模版与曝光机一起移动的方式,模版的位置相对于曝光机的中心保持不变,并且始终使用聚焦透镜的中心可以实现更高的精度。成为主流。光刻设备的主要性能指标是:支撑基板的尺寸范围,分辨率,对准精度,曝光模式,光源的波长,光强度的均匀性,生产效率,等包括高精度对准工作台,具有双目视野的CCD显微镜显示系统,曝光头,气动系统,真空管道系统,直接连接的无油真空泵,耐冲击工作台和配件盒。
高端投影光刻机可分为阶梯投影光刻机和光栅投影光刻机,分辨率通常在7纳米到几微米之间。高端光刻机被认为是世界上最精密的仪器。
平版印刷机通常根据易用性分为三种:手动,半自动和全自动1.手动:这是一种对齐方式的调整方法,其中通过手动调整旋钮来更改X轴,Y轴和Thita角度来完成对齐。可以介绍对齐精度。
2.半自动:这意味着可以通过电轴对根据CCD的对齐进行定位和调整。
3.自动:是指从基板上载和下载。曝光时间和曝光周期由程序控制。自动光刻机主要满足工厂的处理量要求。
光源掩模的协同优化技术(短SMO)
仿真计算的基本原理类似于基于模型的邻近效应校正。移动掩模图案的边缘以计算与晶圆上目标图案的偏差,即边缘放置误差。在优化过程中,模型有意导致曝光剂量为聚焦程度和掩模上图案的大小,并计算由这些干扰引起的图像在晶圆上的边缘放置误差。评估功能和优化均基于边缘放置误差。光源掩模的坐标优化结果不仅包含像素化光源,还包含输入设计的接近度校正。
光源掩模协同优化技术有两个主要的优化思想,其中一个是交替优化光源并全局优化掩模直到结果满足要求,即替代优化算法。另一个是局部遮罩和光源的协同优化,为了获得优化的光源(即协同优化算法),必须始终考虑两者之间的耦合。光源掩模的协同优化要求光刻机具有基于像素的照明系统的硬件条件。该照明系统使用多个反射镜阵列将光反射到固定区域上并形成任何形式的光强分布。该光强度分布由许多像素组成。每个像素的强度可以由计算机程序控制,光刻机不支持基于像素的照明系统,在光源掩模的协同优化中,光源可以最初定义为标准参数照明。
新闻来源:中国科学院上海光学精密机械研究所

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